7月31日，英偉達官網更新800V直流電源架構合作商名錄，英諾賽科(2577.HK)成為名單中唯一的中國芯片企業。
受此消息影響，8月1日，英諾賽科股價一度狂飆超60%，刷新歷史記錄，截至收盤股價仍漲超30%，全天成交高達42.4億港元，位列全港第六名，并創下公司上市以來單日最大成交量的記錄。英諾賽科官宣！已與英偉達達成合作，聯合推動800V架構8月1日盤后，英諾賽科發布公告，宣布公司已于近日與全球AI技術領導者英偉達（NVIDIA）達成合作，聯合推動800VDC（800伏直流）電源架構在AI數據中心的規模化落地。該架構是英偉達針對未來高效供電兆瓦級計算基礎設施而專門設計的新一代電源系統，相比傳統54V電源，在系統效率、熱損耗和可靠性方面具有顯著優勢，可支持AI算力100-1000倍的提升。英諾賽科的第三代GaN器件具備出色的高頻、高效率與高功率密度等特性，為英偉達800VDC架構提供從800V輸入到GPU終端，覆蓋15V到1200V的全鏈路氮化鎵電源解決方案。英諾賽科表示，隨著GaN技術與英偉達800VDC供電架構的融合，未來幾年，AI數據中心將實現從千瓦級到兆瓦級的飛躍，開啟更高效、更可靠、更環保的AI計算時代。7月31日，英偉達更新了其芯片合作伙伴名單，并指定英諾賽科（InnoScience）為其800 V HVDC架構的供應商。與此前版本相比，最新名單還顯示，英偉達新增了亞德諾半導體公司、安森美半導體公司和瑞薩電子公司作為新架構的芯片供應商，以滿足AI基礎設施日益增長的電力需求。值得注意的是，英諾賽科是這些供應商中唯一的中國芯片企業。英偉達認為，傳統的54V機架內配電系統已無法滿足當前AI工作負載指數級增長帶來的數據中心電力需求，因此其正在向800VDC數據中心電力基礎設施過度，以支持從2027年開始的1兆瓦以上IT機架。據了解，當前的數據中心架構使用的傳統54V低壓供電架構，在單機柜功率超200kW時就會因功率密度、銅材需求和系統效率降低等問題遭遇物理極限，顯然無法滿足大型AI數據中心所需要的GW級電力需求。英偉達的方案是在數據中心外圍直接將13.8kV交流電轉換為800V高壓直流電，減少AC/DC轉換環節，將端到端能效提升5%。此外，電壓提升將使銅纜用量減少45%，機房占地面積縮減40%，實現單機柜功率密度支持600kW以上。然而傳統硅基器件因開關頻率低、耐壓能力弱，難以支撐高功率密度下的高效電能轉換。而作為第三代半導體核心材料的氮化鎵，則憑借高壓穩定性、能源轉換率、高功率密度等優點，成為了800V架構的理想載體。顯然，這也是英偉達選擇與英諾賽科等氮化鎵核心廠商合作的深層原因。而好巧不巧，7月初爆出的臺積電停止氮化鎵代工生產一事，卻可能對英偉達的另一氮化鎵合作伙伴——納微半導體的產能帶來負面影響。納微半導體于7月1日提交給美國SEC的文件顯示，因其唯一的氮化鎵晶圓供應商臺積電將于2027年7月停止氮化鎵（GaN）的生產，公司只能改為與力積電（PSMC）合作，在未來1-2年內完成所有產品的認證和量產切換。臺積電與納微的合作早在2010年就已開始，2017年Navitas GaNFast™功率IC取得成功并開始大規模出貨后，納微的投片量一度占據了臺積電氮化鎵產能的一半以上。可以說，兩者在氮化鎵產業的成功是相互成就的。但市場人士指出，氮化鎵產業目前已進入規模化發展階段，8英寸氮化鎵技術正成為下一步發展的主流，目前臺積電的6英寸工藝從成本到規模到產品競爭力上均已無法滿足市場發展需求，或是其選擇退出的原因之一。此前，納微半導體因與英偉達的合作消息而備受關注，股價迄今累計暴漲近3倍，市值由原先的不足4億美元升至目前超過14億美元。值此關鍵時刻，最重要的代工廠卻“罷工”了，帶來的打擊可想而知。Fabless廠商業務受阻，IDM模式漸成行業主流除納微之外，“停產”也將迫使其他一眾與臺積電合作的氮化鎵功率器件設計公司（Fabless模式）只能另尋出路，與其他代工廠合作。但一時之間需要解決的困難可不少，要知道，臺積電在氮化鎵代工市場的份額高達40%。例如，納微選擇的新對象——力積電需要在未來1至2年內完成所有產品的認證和量產切換，它能否在短時間內穩定復制出臺積電世界級的良率和一致性，依然是個大大的問號。在氮化鎵領域，主要存在Fabless和IDM兩種模式。前者專注于芯片設計和銷售，而晶圓制造、封裝和測試則交給臺積電等代工廠；后者即是從外延片、芯片設計、晶圓制造到封裝及測試都自主完成。通常而言，IDM模式更強調全生命周期控制以及垂直整合，需要技術和資金雄厚的企業才能玩得轉。但IDM模式能夠更好地控制成本、質量和供應鏈，建立先發優勢和長期競爭力，產品供應能力也更加穩定。在某種程度上，臺積電的停產表明了氮化鎵代工模式正走向失敗，Fabless廠商業務受阻，IDM模式進一步成為功率半導體的主流方向，而英諾賽科等具備穩定產線的IDM廠商可能借機搶占更多市場份額。AI算力高速增長帶來的龐大需求，以及臺積電退出所遺留下來的市場空白，將成為氮化鎵產業鏈競爭者“群雄逐鹿”的戰場，并將深刻影響全球及中國氮化鎵產業發展的格局。一方面，碳化硅及氮化鎵頭部公司Wolfspeed遭遇破產重組，專注于垂直功率氮化鎵器件的NexGen公司破產，比利時氮化鎵代工廠BelGaN倒閉，正使得全球氮化鎵產業的主導權逐漸向頭部實力玩家集中。另一方面，中國氮化鎵產業經過多年發展已成崛起之勢，目前已形成“技術獨立-市場需求-供應鏈生態”三位一體的穩定局面，廣闊的市場需求、穩定的產線和完善的供應鏈都將令中國廠商成為強悍的競爭者。而全球氮化鎵功率器件市場中，英諾賽科、美國Power Integrations、美國納微半導體和美國EPC處于領先地位，其中英諾賽科穩居龍頭；此外，德國英飛凌、日本瑞薩分別通過收購GaN Systems、Transphorm布局氮化鎵業務。其中，作為IDM模式的代表性企業，英諾賽科是全球首家實現8英寸GaN-on-Si晶圓量產的公司，目前擁有兩座8英寸GaN-on-Si晶圓廠，2025年底總產能將達到2萬片/月，是中國氮化鎵領域毫無爭議的“新王”。據弗若斯特沙利文的數據，按2023年的收入計，英諾賽科占據了全球氮化鎵功率半導體市場超1/3的份額，排名全球第一；若以折算氮化鎵分立器件出貨量計，其市占率更是高達42.4%。Yole的數據則顯示，6英寸GaN-on-Si雖仍占主流，但8英寸GaN-on-Si正在加速普及，預計到2029年8英寸晶圓將占總需求的64%以上。這使得英諾賽科等擁有較高產能和良率的頭部廠商將占據明顯優勢。在氮化鎵賽道迎來大爆發的機遇下，英諾賽科正在消費電子、AI數據中心、人形機器人、新能源汽車、可再生能源及工業應用等多個領域全面開花，并有望憑借其全產業鏈布局、強悍的技術實力和多樣化產品組合，吃下最大的市場紅利！
（本文首發于活報告公眾號，ID：livereport）
